Flandre, DenisRaskin, Jean-PierreMasselus, MatthieuMatthieuMasselus2025-05-142025-05-142025-05-142019https://hdl.handle.net/2078.2/12327Pendant de nombreuses années les dimensions des transistors ont été réduites à chaque génération de la technologie, ceci afin d'accroître les performances des circuit. Cependant, les transistors ont atteint des dimensions si petites que certaines hypothèses qui avaient été initialement posées à propos du transport électronique à l'intérieur du transistor ont dues être revues. Un des moyens pour augmenter les performances des transistors serait de les faire fonctionner à basse température. Le but de ce travail sera donc d'effectuer une caractérisation complète d'un transistor à basse température, afin d'observer son comportement à 77K.During years the size of the transistors has been reduced one generation at a time, in order to improve the performance of the circuits. However, the transistors have reached such small dimensions that some of the assumptions that had originally been made about the electronic transport inside the transistor had to be reviewed. One of the ways to increase the performance of the transistors would be to operate at low temperatures. The goal of this work will be to perform a complete characterization of a transistor at low temperature, in order to observe its behavior at 77K.FDSOILow-TemperatureExtractionS-ParametersELDODC-RFCharacterizationtext::thesis::master thesisthesis:19478